News H Samsung ξεκινά την μαζική παραγωγή QLC 9th-Gen V-NAND για την AI εποχή By Δημήτρης Θωμαδάκης 13 Σεπτεμβρίου, 2024431 views ShareTweet 0 Η Samsung ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της 9ης γενιάς NAND (V-NAND) τετραπλής κυψέλης (QLC) ενός terabit (Tb). Η πρώτη μαζική παραγωγή του κλάδου για την QLC 9ης γενιάς V-NAND ακολουθεί την πρώτη παραγωγή τριπλού επιπέδου κυψελών (TLC) 9ης γενιάς V-NAND τον Απρίλιο του 2024 και έρχεται να εδραιώσει την ηγετική θέση της Samsung στην αγορά των υψηλής χωρητικότητας και αποδόσεων NAND flash memories. «Με την έναρξη της επιτυχημένης μαζικής παραγωγής του QLC 9ης γενιάς V-NAND μόλις τέσσερις μήνες μετά την έκδοση TLC, έχουμε τη δυνατότητα να προσφέρουμε μια πλήρη σειρά προηγμένων λύσεων SSD που καλύπτουν τις ανάγκες της εποχής της Τεχνητής Νοημοσύνης», δήλωσε ο SungHoi Hur, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος και Επικεφαλής του Τμήματος Flash Product & Technology στη Samsung Electronics. Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει τις εφαρμογές της QLC 9ης γενιάς V-NAND, ξεκινώντας με επώνυμα καταναλωτικά προϊόντα και συνεχίζοντας στους φορητούς Universal Flash Storage (UFS), υπολογιστές και SSD διακομιστών για πελάτες, συμπεριλαμβανομένων των παρόχων υπηρεσιών cloud. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung συνδυάζει μια σειρά από καινοτομίες που έχουν οδηγήσει σε τεχνολογικές προόδους: Το Channel Hole Etching της Samsung χρησιμοποιήθηκε για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού στρωμάτων -στον κλάδο- με δομή διπλής στοίβας. Αξιοποιώντας την τεχνογνωσία που προήλθε από την TLC 9ης γενιάς V-NAND, η περιοχή των κυψελών και τα περιφερειακά κυκλώματα έχουν βελτιστοποιηθεί, επιτυγχάνοντας κορυφαία πυκνότητα bit, περίπου 86% υψηλότερη από εκείνη της TLC 9ης γενιάς V-NAND. Το Designed Mold προσαρμόζει την απόσταση των Word Lines (WL), για να διασφαλίσει την ομοιομορφία και τη βελτιστοποίηση των χαρακτηριστικών σε όλα τα επίπεδα. Αυτά τα χαρακτηριστικά γίνονται ολοένα και πιο σημαντικά, καθώς αυξάνεται ο αριθμός των επιπέδων V-NAND. Η υιοθέτηση του Designed Mold έχει βελτιώσει την απόδοση διατήρησης δεδομένων κατά περίπου 20% σε σύγκριση τις προηγούμενες γενιές, γεγονός που βελτιώνει συνολικά την αξιοπιστία του προϊόντος. Το Predictive Program προβλέπει και ελέγχει τις αλλαγές κατάστασης κυψέλης για να ελαχιστοποιήσει τις περιττές ενέργειες. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung έχει διπλασιάσει την απόδοση εγγραφής και βελτίωσε την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου των δεδομένων κατά 60%, χάρη στην πρόοδο αυτής της τεχνολογίας. Η κατανάλωση ενέργειας που απαιτείται για την ανάγνωση και εγγραφή των δεδομένων μειώθηκε περίπου κατά 30% και 50% αντίστοιχα, με τη χρήση της τεχνολογίας Low–Power Design. Αυτή η μέθοδος μειώνει την τάση που οδηγεί τις NAND κυψέλες και ελαχιστοποιεί την κατανάλωση ενέργειας ανιχνεύοντας μόνο τις απαραίτητες γραμμές bit (BL). Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε Συνδεθείτε για να σχολιάσετε Καλώς ήλθατε {{inv_username}} comments Συνδεθείτε για να απαντήσετε Aπαντήστε {{inv_error}} New Comment Post Comment Logout Σύνδεση Email Κωδικός Σύνδεση Κλείσιμο
Mobiles Στα εργαστήρια της Huawei αναπτύσσουν νέο chip Kirin με αρχιτεκτονική 1+3+4 CPU By i.tsompas13 ώρες ago0
Mobiles Με μεγάλες μπαταρίες και Dimensity 9400 τα νέα vivo X200 Pro/ X200 Pro mini! By i.tsompas19 ώρες ago0
Apps Αναγνωρίζουν τα λάθη του Threads οι άνθρωποι του και προτείνουν νέα μέτρα βελτιώσεων By i.tsompas21 ώρες ago0
Gadgets Δεν τα πήγε καλά η Apple με το Vision Pro, αλλά συνεχίζει με νέα έξυπνα γυαλιά (Φήμες) By i.tsompas23 ώρες ago0
Computers Windows 11 24H2: Το νέο αυτό update δημιουργεί ένα αρχείο δίσκου που δεν μπορεί να διαγραφεί By i.tsompas24 ώρες ago0