Η Samsung θα πετύχει λεπτότερα κυκλώματα DDR6 με την τεχνολογία mSAP

[Nagata]

Σημαντικά βήματα προόδου πετυχαίνει η Samsung όσον αφορά την ανάπτυξη memory chips και μάλιστα η  εταιρεία εργάζεται επιμελώς για να φέρει την DDR6 στην αγορά. Στις πρόσφατες ειδήσεις διαβάζουμε πως ο Κορεάτης τεχνολογικός γίγαντας φέρεται να σχεδιάζει να υιοθετήσει μια τροποποιημένη τεχνολογία συσκευασίας Semi-Additive Process (mSAP) για την παραγωγή chip DDR6.

Σύμφωνα με τον αντιπρόεδρο της Samsung, Younggwan Ko, σε ένα πρόσφατο σεμινάριο στο Suwon, η τεχνολογία συσκευασίας πρέπει να εξελιχθεί παράλληλα με τους ημιαγωγούς μνήμης καθώς γίνονται πιο ισχυροί. Η εφαρμογή μιας διαδικασίας mSAP στα memory chips DDR6 θα επιτρέψει στη Samsung να δημιουργήσει chip με λεπτότερα κυκλώματα.

Οι ανταγωνιστές της Samsung έχουν ήδη χρησιμοποιήσει το mSAP για τη μνήμη DDR5 και η Samsung φέρεται να εργάζεται για να χρησιμοποιήσει αυτήν την τεχνολογία συσκευασίας για DDR6, σύμφωνα με τον Ko.Εν τω μεταξύ, ο κορεάτης τεχνολογικός γίγαντας αποκάλυψε τα πρώτα του chips 24Gbps GDDR6 DRAM για κάρτες γραφικών νωρίτερα αυτή την εβδομάδα. Ταυτόχρονα, η εταιρεία βρίσκεται σε πρώιμο στάδιο ανάπτυξης του DDR6 (δεν πρέπει να συγχέεται με το GDDR6). Ο σχεδιασμός του DDR6 θα μπορούσε να οριστικοποιηθεί μέχρι το 2024, σύμφωνα με μια έκθεση του περασμένου έτους.

Το DDR6 αναμένεται να είναι δύο φορές πιο γρήγορο και να διαθέτει δύο φορές περισσότερα κανάλια μνήμης από το DDR5. Το DDR6 θα μπορούσε να επιτύχει ρυθμούς μεταφοράς περίπου 12.800 Mbps σε μονάδες JEDEC ή 17.000 Mbps υπερχρονισμένο.

Νωρίτερα πέρυσι, η Samsung ανακοίνωσε την πρώτη μνήμη DDR5-7200 512 GB στον κόσμο, η οποία διαθέτει 40% υψηλότερη απόδοση από τις λύσεις DDR4.

[via]

back to the Article