MobilesNews

Αισθάνθηκε μια πίεση η Samsung και προχώρησε άμεσα στην ανάπτυξη των RAM επόμενης γενιάς!

0

Πιεσμένη αισθάνεται η Samsung από τον έντονο ανταγωνισμό και γι’ αυτό θα επιταχύνει την ανάπτυξη και την παραγωγή των chip’s μνήμης RAM LPDDR6.

Ο tipster @Jukanlosreve, σε ένα tweet, παραθέτει ένα άρθρο ειδήσεων που δημοσιεύτηκε στην Business Post της Νότιας Κορέας, το οποίο αναφέρει ότι η CXMT σχεδιάζει ήδη να αναπτύξει memory chips RAM LPDDR6 φέτος, με σκοπό να ξεκινήσει την κατασκευή τους στις αρχές του επόμενου έτους. Με αυτή την πρόκληση να αντιμετωπίζει, η Samsung αποφάσισε να επιταχύνει την ανάπτυξη των δικών της τσιπ μνήμης RAM LPDDR6, τα οποία θα βασίζονται στην προηγμένη διαδικασία DRAM 1c της Samsung Foundry. Η “1c” είναι στην πραγματικότητα η διαδικασία έκτης γενιάς, με την “1x” να είναι η πρώτη. Κάθε γενιά οδηγεί σε βελτιώσεις στην απόδοση.
Η Samsung έχει ήδη έναν πιθανό πελάτη για τα chip’s RAM LPDDR6, καθώς η Qualcomm φέρεται να θα υποστηρίξει το νέο chip RAM με τον επερχόμενο κορυφαίο επεξεργαστή εφαρμογών (AP) Snapdragon 8 Elite 2. Αυτό είναι το SoC που θα τροφοδοτεί το Samsung Galaxy S26 Ultra σε όλες τις περιοχές στις αρχές του επόμενου έτους. Θα κατασκευαστεί από την TSMC χρησιμοποιώντας τον κόμβο 3nm τρίτης γενιάς (N3P). Φυσικά, η Samsung αναμένει να πουλήσει τα chip’s RAM LPDDR6 σε πολλούς περισσότερους πελάτες.
Εδώ να τονίσουμε πως το chip LPDDR5X RAM που κατασκευάστηκε από τη Samsung και χρησιμοποιήθηκε στο Samsung Galaxy S25 Ultra τόσο για τις εκδόσεις των 12GB όσο και για τις εκδόσεις των 16GB κατασκευάστηκε στον κόμβο διεργασίας 12nm της Samsung Foundry. Παλαιότερες εκδόσεις του chip’s LPDDR5X RAM της Samsung, όπως αυτή που χρησιμοποιήθηκε στο Galaxy S23 Ultra, κατασκευάστηκαν από τη Samsung Foundry χρησιμοποιώντας τον κόμβο διεργασίας 14nm.
[via]

Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε

Συνδεθείτε για να σχολιάσετε

Καλώς ήλθατε {{inv_username}}

comments

  1. says:
    {{ getCommDate(item.date) }}

{{inv_error}}

Σύνδεση

You may also like