Samsung: Η μνήμη DDR6 θα ξεπεράσει τα 10 gbps το 2027

Από τα όσα μεταδίδει το computerbase, γίνεται γνωστό πως η Samsung στην εκδήλωση Samsung Foundry Forum 2022, παρουσίασε τα νέα της πλάνα όσον αφορά το τμήμα memory chips. Όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα, η εταιρεία θα εισέλθει στο στάδιο της διαδικασίας του 1bnm το επόμενο έτος, το 2023. Επιπλέον, η χωρητικότητα του memory chip θα φτάσει τα 24Gb (3GB) – 32Gb (4GB). Επιπλέον, η εγγενής ταχύτητα θα είναι 6,4-7,2 Gbps. Όσον αφορά τη μνήμη βίντεο, μια νέα γενιά μνήμης βίντεο GDDR7 θα κυκλοφορήσει το επόμενο έτος. Έτσι, το ενδιάμεσο λίφτινγκ της νέας γενιάς καρτών γραφικών AMD και Nvidia ενδέχεται να χρησιμοποιεί μνήμη βίντεο GDDR7.

Επιπλέον, η Samsung έχει κάνει επίσης ορισμένα μακροπρόθεσμα όνειρα. Η εταιρεία σχεδιάζει να κυκλοφορήσει τη μνήμη DDR6 το 2026 και να επιτύχει εγγενή ταχύτητα 10 Gbps το 2027. Η Samsung αποκάλυψε επίσης τον οδικό χάρτη της μνήμης flash, με τα chip V9 NAND να αναμένονται το 2024.

Η Samsung επεσήμανε στην προηγούμενη εκδήλωση της Tech Day 2022 ότι η ένατη γενιά V-NAND της είναι υπό-ανάπτυξη. Σύμφωνα με το χρονοδιάγραμμα της εταιρείας, αυτό το chip θα εισέλθει σε μαζική παραγωγή το 2024. Μέχρι το 2030, η εταιρεία οραματίζεται να στοιβάζει περισσότερα από 1.000 επίπεδα NAND για την καλύτερη υποστήριξη μελλοντικών τεχνολογιών έντασης δεδομένων. Ανακοίνωσε επίσης ότι το υψηλότερης χωρητικότητας 1 Tb TLC V-NAND στον κόσμο θα είναι διαθέσιμο στους πελάτες μέχρι το τέλος του τρέχοντος έτους.

Ρεκόρ κατασκευής σε memory chips

Στην εκδήλωση Samsung Tech Day 2022, ο pρόεδρος της Samsung Electronics και επικεφαλής των επιχειρήσεων μνήμης, Jung-bae Lee, δήλωσε ότι η εταιρεία έχει παράγει συνολικά 1 τρισεκατομμύριο GB μνήμης σε περισσότερα από 40 χρόνια. Το ενδιαφέρον είναι ότι περίπου τα μισά από το 1 τρισεκατομμύριο GB παρήχθησαν τα τελευταία τρία χρόνια.

Η Samsung ισχυρίζεται ότι είναι ηγέτης στις DRAM και NAND για 30 και 20 χρόνια, αντίστοιχα. Επί του παρόντος, η Samsung αναπτύσσει μια πέμπτης γενιάς DRAM κατηγορίας 10nm (1b). Αναπτύσσει επίσης το κάθετο NAND όγδοης και ένατης γενιάς (V-NAND). Η εταιρεία υπόσχεται να συνεχίσει να παρέχει τον πιο ισχυρό συνδυασμό τεχνολογιών μνήμης για την επόμενη δεκαετία.

[via]