News H Samsung ξεκινά την μαζική παραγωγή QLC 9th-Gen V-NAND για την AI εποχή By Δημήτρης Θωμαδάκης 5 ημέρες ago321 views ShareTweet 0 Η Samsung ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της 9ης γενιάς NAND (V-NAND) τετραπλής κυψέλης (QLC) ενός terabit (Tb). Η πρώτη μαζική παραγωγή του κλάδου για την QLC 9ης γενιάς V-NAND ακολουθεί την πρώτη παραγωγή τριπλού επιπέδου κυψελών (TLC) 9ης γενιάς V-NAND τον Απρίλιο του 2024 και έρχεται να εδραιώσει την ηγετική θέση της Samsung στην αγορά των υψηλής χωρητικότητας και αποδόσεων NAND flash memories. «Με την έναρξη της επιτυχημένης μαζικής παραγωγής του QLC 9ης γενιάς V-NAND μόλις τέσσερις μήνες μετά την έκδοση TLC, έχουμε τη δυνατότητα να προσφέρουμε μια πλήρη σειρά προηγμένων λύσεων SSD που καλύπτουν τις ανάγκες της εποχής της Τεχνητής Νοημοσύνης», δήλωσε ο SungHoi Hur, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος και Επικεφαλής του Τμήματος Flash Product & Technology στη Samsung Electronics. Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει τις εφαρμογές της QLC 9ης γενιάς V-NAND, ξεκινώντας με επώνυμα καταναλωτικά προϊόντα και συνεχίζοντας στους φορητούς Universal Flash Storage (UFS), υπολογιστές και SSD διακομιστών για πελάτες, συμπεριλαμβανομένων των παρόχων υπηρεσιών cloud. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung συνδυάζει μια σειρά από καινοτομίες που έχουν οδηγήσει σε τεχνολογικές προόδους: Το Channel Hole Etching της Samsung χρησιμοποιήθηκε για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού στρωμάτων -στον κλάδο- με δομή διπλής στοίβας. Αξιοποιώντας την τεχνογνωσία που προήλθε από την TLC 9ης γενιάς V-NAND, η περιοχή των κυψελών και τα περιφερειακά κυκλώματα έχουν βελτιστοποιηθεί, επιτυγχάνοντας κορυφαία πυκνότητα bit, περίπου 86% υψηλότερη από εκείνη της TLC 9ης γενιάς V-NAND. Το Designed Mold προσαρμόζει την απόσταση των Word Lines (WL), για να διασφαλίσει την ομοιομορφία και τη βελτιστοποίηση των χαρακτηριστικών σε όλα τα επίπεδα. Αυτά τα χαρακτηριστικά γίνονται ολοένα και πιο σημαντικά, καθώς αυξάνεται ο αριθμός των επιπέδων V-NAND. Η υιοθέτηση του Designed Mold έχει βελτιώσει την απόδοση διατήρησης δεδομένων κατά περίπου 20% σε σύγκριση τις προηγούμενες γενιές, γεγονός που βελτιώνει συνολικά την αξιοπιστία του προϊόντος. Το Predictive Program προβλέπει και ελέγχει τις αλλαγές κατάστασης κυψέλης για να ελαχιστοποιήσει τις περιττές ενέργειες. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung έχει διπλασιάσει την απόδοση εγγραφής και βελτίωσε την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου των δεδομένων κατά 60%, χάρη στην πρόοδο αυτής της τεχνολογίας. Η κατανάλωση ενέργειας που απαιτείται για την ανάγνωση και εγγραφή των δεδομένων μειώθηκε περίπου κατά 30% και 50% αντίστοιχα, με τη χρήση της τεχνολογίας Low–Power Design. Αυτή η μέθοδος μειώνει την τάση που οδηγεί τις NAND κυψέλες και ελαχιστοποιεί την κατανάλωση ενέργειας ανιχνεύοντας μόνο τις απαραίτητες γραμμές bit (BL). Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε Συνδεθείτε για να σχολιάσετε Καλώς ήλθατε {{inv_username}} comments Συνδεθείτε για να απαντήσετε Aπαντήστε {{inv_error}} New Comment Post Comment Logout Σύνδεση Email Κωδικός Σύνδεση Κλείσιμο
Gadgets Πιστοποίηση από τον FDA για τη λειτουργία ανίχνευσης άπνοιας ύπνου του Apple Watch By i.tsompas6 ώρες ago0
Mobiles Ναι μεν η Apple θα κυκλοφορήσει chip’s 2nm το 2025, αλλά μόνο για τη σειρά iPhone 17 Pro By i.tsompas10 ώρες ago0
Apps Πήρε άδεια η Meta και εκπαιδεύει την τεχνητή νοημοσύνη στις αναρτήσεις μας σε Facebook και Instagram By i.tsompas14 ώρες ago0
News realme: νέα συνεργασία με τη Google φέρνει αναβαθμισμένες AI λειτουργίες By Δημήτρης Θωμαδάκης19 ώρες ago0
Mobiles Τα νέα iPhone 16, iPhone 16 Plus ξεπέρασαν τα μοντέλα Pro κατά το πρώτο Σαββατοκύριακο By i.tsompas1 ημέρα ago0
Mobiles Οι ισχυροί κατασκευαστές Samsung, Xiaomi, Motorola, συνωμότησαν με Amazon και Flipkart By i.tsompas1 ημέρα ago0